[发明专利]一种沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010149513.0 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102201437A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 谢福渊 | 申请（专利权）人： | 力士科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件，拥有p+型的发射区-基区接触掺杂区，该掺杂区位于P型基区内，且至少包围所述发射区-基区接触沟槽的下部分，该发射区-基区接触掺杂区内多数载流子浓度高于P型基区，且与沟槽栅附近的沟道区保持一预定距离，可以保证在不提高栅极-发射极阈值电压的同时降低发射极-基极电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型的外延层，该外延层包括第一导电类型的第一外延层和第一导电类型的第二外延层，所述第一外延层位于所述第二外延层的上方，且所述第一外延层的多数载流子浓度低于所述第二外延层；第二导电类型的集电层，位于所述外延层的下方；多个沟槽栅，该沟槽栅同时被第一导电类型的发射区和第二导电类型的基区包围，并向下延伸入所述外延层中，其中所述基区位于所述外延层的上方，所述发射区位于所述基区的上方；第一绝缘层，该绝缘层覆盖所述沟槽栅和所述发射区的上表面；发射区‑基区接触沟槽，位于两个相邻的所述沟槽栅之间，并且穿过所述第一绝缘层和所述发射区，向下延伸入所述基区，且所述发射区‑基区接触沟槽内部填充金属插塞；第二导电类型的发射区‑基区接触掺杂区，位于所述基区内，且至少包围所述发射区‑基区接触沟槽的底部，该发射区‑基区接触掺杂区内多数载流子的浓度高于所述基区，且所述发射区‑基区接触掺杂区与所述沟槽栅附近的沟道区保持一预定距离。
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