[发明专利]一种惰性阳极熔盐电解制备硅颗粒的方法无效
申请号: | 201010148204.1 | 申请日: | 2010-04-16 |
公开(公告)号: | CN102220606A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 张雷;周科朝;李志友 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C25C3/36 | 分类号: | C25C3/36;C01B33/021 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人: | 颜勇 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种惰性阳极熔盐电解制备硅颗粒的方法,以冰晶石熔盐体系为电解质、熔融铝或Al-Si合金为阴极、二氧化硅或硅酸盐为电解原料,在阴极电解制备液态Al-Si合金并进行冷凝处理,可获得纯度达99.72wt%以上的硅颗粒。本发明采用NiFe2O4基金属陶瓷或Cu-Ni-Fe合金作惰性阳极,可降低阳极消耗带到阴极的硼、磷等杂质;以液体Al-Si合金作真实阴极,避免阴极沉积固态硅导致电解槽导电性差的问题,而且阴极产物易从电解槽取出,可保持电解的连续性;电解温度较低,可降低电解质和电解槽壁材料对阴极产物的污染。本发明工艺方法简单、操作方便,阳极寿命长、电解温度低、电解产物纯度高、生产成本低、环境友好。适于工业化应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 惰性 阳极 电解 制备 颗粒 方法 | ||
【主权项】:
一种惰性阳极熔盐电解制备硅颗粒的方法,包括下述步骤:第一步:电解槽建造阳极:以NiFe2O4基金属陶瓷或Cu‑Ni‑Fe合金作为惰性阳极;名义阴极:选自炭素阴极、硼化钛/炭复合阴极或硼化钛烧结阴极中的一种;真实阴极:为纯度大于99.7wt%的金属Al或经定向冷凝处理后的Al‑Si熔体;电解质:采用Na3AlF6‑K3AlF6‑AlF3‑CaF2的氟化物熔盐作为电解质;第二步:铝硅合金的熔盐电解制备电解参数为:阳极电流密度:0.5A/cm2~1.5A/cm2;电解原料:高纯二氧化硅或硅铝复合氧化物;电解温度:比电解质的初晶温度高10~30℃;按电解质总量的3~8%,将电解原料添加至电解槽中,加热电解槽至700℃‑1000℃,保温2~5小时,接通直流电源,控制电解槽温度比电解质初晶温度高10~30℃,进行电解,即在阴极得到Al‑Si合金熔体;电解时,适时检测电解原料在电解质中的浓度,按加料前后电解质中电解原料的浓度波动小于0.5%的原则,定期加入电解原料;第三步:硅颗粒收集处理停止电解后,从电解槽中提出惰性阳极,将电解槽底部的Al‑Si熔体吸出,并对所述Al‑Si熔体定向冷凝至580℃~600℃;当熔体的平均温度梯度降低至0.2~0.5℃/cm时,用钢质滤网收集冷端的硅颗粒;对收集的硅颗粒进行酸洗、清洗、干燥处理,即得到纯度达99.72wt%以上的硅颗粒。
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