[发明专利]环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺

摘要

本发明公开了一种环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺，它包括：首先清洗Si基片；其次采用高真空磁控溅射系统在Si单晶上沉积200-500nm纯金属Mg膜，形成Si/Mg薄膜结构；最后放置于真空退火炉内。对真空退火炉抽真空，退火炉背底真空小于等于10-3Pa，往高真空的退火炉内通入氩气，然后封闭退火炉进行退火处理。整个退火过程中，保持退火炉腔体内氩气气压为10-104Pa的氩气氛围、350-550℃退火3-8小时,直接形成环境友好半导体Mg2Si薄膜。本发明的磁控溅射法制备工艺，具有镀膜层与基片的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点，适用于工业化的大规模批量生产。

主权项

一种环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺，其特征在于：它包括以下过程：首先，清洗Si基片；其次，将清洗后的Si基片送入真空磁控溅射系统的溅射室，在Si单晶上沉积Mg膜，形成Si/Mg薄膜结构；最后，将Si/Mg薄膜结构放置于真空退火炉内在氩气氛围下350-550℃退火3-8小时，形成环境友好半导体Mg2Si薄膜。