[发明专利]半导体器件结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201010146499.9 | 申请日： | 2010-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101834206A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 梁仁荣;王敬;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括：衬底层；形成在所述衬底层之上的硅碳层；形成在所述硅碳层之上的碳基材料层；形成在所述碳基材料层之上的栅堆叠；形成在所述碳基材料层之中的源极和漏极；和形成在所述源极和漏极之上的金属硅化物层。本发明采用碳基材料层，例如石墨烯，作为沟道层，从而可以大大地提高器件的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，其特征在于，包括：衬底层；形成在所述衬底层之上的硅碳层；形成在所述硅碳层之上的碳基材料层；形成在所述碳基材料层之上的栅堆叠；形成在所述碳基材料层之中的源极和漏极；和形成在所述源极和漏极之上的金属硅化物层。
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