[发明专利]高驱动电流三维多重闸极晶体管及其制法无效
| 申请号： | 201010145465.8 | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102222691A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 廖文翔;拾己寰;胡明哲;王浩;顾豪爽;廖昱基 | 申请（专利权）人： | 联合大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/24;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 张爱群 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高驱动电流三维多重闸极晶体管及其制法，该晶体管包含有硅基底；隔离层，形成于该硅基底表面；数个闸极，垂直设置于该绝缘层表面，分别包含硅鳍片，硅锗通道层，形成于该硅鳍片外侧，高介电常数闸极介电层，形成于该硅锗通道层外侧，保护层，是经热处理，形成于该硅鳍片、硅锗通道层与高介电常数闸极介电层顶端。该高驱动电流三维多重闸极晶体管及其制法，其不仅符合半导体产业未来朝三维、多重闸极结构发展的趋势，而且，包含硅锗通道层及高介电常数闸极介电层的全新三维金属闸极结构相较于现有N/PMOS的硅通道可具有更高的驱动电流流动性，实用价值甚高。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 电流 三维 多重 晶体管 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种高驱动电流三维多重闸极晶体管，其特征在于：包含一硅基底；一隔离层，形成于该硅基底表面；数个闸极，垂直设置于该绝缘层表面；各闸极分别包含一硅鳍片；一硅锗通道层，形成于该硅鳍片外侧；一高介电常数闸极介电层，形成于该硅锗通道层外侧；一保护层，经热处理，形成于该硅鳍片、硅锗通道层与高介电常数闸极介电层顶端。
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