[发明专利]光刻装置和器件制造方法有效

专利信息
申请号: 201010144753.1 申请日: 2005-11-07
公开(公告)号: CN101794082A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: P·W·H·德贾格;C·-Q·桂;J·F·F·克林哈梅;E·霍贝里奇特斯 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王新华
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 公开了一种光刻装置和器件制造方法。照射系统提供辐射光束。带图案的光束被投射到基底的目标部分上。位移系统引起基底和光束之间的相对位移。设置所述投影系统,使得每条光束沿基底上的相应一条轨迹进行扫描。所述轨迹重叠,使得每条轨迹包括一个仅被一条光束稻苗的第一部分和至少一个与相邻轨迹重叠且被两条光束扫描的第二部分。朝向所述轨迹的第一部分引导的每一条光束的第一部分的最大强度大于朝向所述轨迹的第二部分引导的所述光束第二部分的最大强度,使得所述轨迹的第一部分和第二部分曝光于具有大体上相同的最大强度的辐射中。相邻光束的这种重叠和光束强度的调节允许光学印记接合在一起,从而能够在单次扫描中曝光较大面积的基底。
搜索关键词: 光刻 装置 器件 制造 方法
【主权项】:
一种光刻装置,包括:构图系统,每一个构图系统包括一个单独可控元件的阵列;投影系统,所述投影系统将来自图案化系统的一个或多个带图案的光束投射到基底的目标部分上,所述投影系统包括一个透镜阵列,使得该透镜阵列中的每个透镜都朝向基底引导相应一条带图案的光束的相应部分;和位移系统,所述位移系统引起基底和投影系统之间的相对位移,以使得光束沿预定扫描方向在基底上进行扫描;其中所述投影系统被设置以允许每条光束沿基底上的一系列重叠轨迹中的相应一条轨迹进行扫描,从而使得每条轨迹包括:一个仅被一条带图案的光束扫描的第一部分,和至少一个与相邻轨迹重叠的且被两条带图案的光束扫描的第二部分。
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