[发明专利]光刻装置和器件制造方法有效
| 申请号: | 201010144753.1 | 申请日: | 2005-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN101794082A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
| 发明(设计)人: | P·W·H·德贾格;C·-Q·桂;J·F·F·克林哈梅;E·霍贝里奇特斯 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王新华 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光刻 装置 器件 制造 方法 | ||
1.一种光刻装置,包括:
构图系统,每一个构图系统包括一个单独可控元件的阵列;
投影系统,所述投影系统将来自构图系统的一个或多个带图案的光束 投射到基底的目标部分上,所述投影系统包括一个透镜阵列,使得该透镜 阵列中的每个透镜都朝向基底引导相应一条带图案的光束的相应部分;和
位移系统,所述位移系统引起基底和投影系统之间的相对位移,以使 得光束沿预定扫描方向在基底上进行扫描;
其中所述投影系统被设置以允许每条光束沿基底上的一系列重叠轨迹 中的相应一条轨迹进行扫描,从而使得每条轨迹包括:
一个仅被一条带图案的光束扫描的第一部分,和
至少一个与相邻轨迹重叠的且被两条带图案的光束扫描的第二部分,
其中朝向相应一条轨迹的第一部分引导的相应的每一条带图案的光束 的第一部分的最大强度大于朝向所述轨迹的第二部分引导的所述光束的第 二部分的最大强度,使得所述轨迹的第一部分和第二部分曝光于具有大体 上相同的最大强度的辐射中,且从邻近所述轨迹相应一个第一部分的相应 一条轨迹的相应一个第二部分的一个边缘到所述轨迹的相应一个第二部分 的另一边缘逐渐减小相应一条带图案光束的第二部分的强度。
2.根据权利要求1所述的装置,其中:
相应的每一条带图案的光束由相应的光学元件列产生;
所述光学元件列沿垂直于扫描方向的方向分布在基底上;且
光学元件列中相邻的光学元件列沿扫描方向存在偏移。
3.根据权利要求1所述的装置,其中:
所述带图案的光束中的至少两条重叠的带图案的光束通过公共透镜阵 列中的相应列透镜被引导朝向基底;
所述列邻近公共透镜阵列;
所述列沿相对于扫描方向倾斜的方向延伸;并且
所述列在垂直于扫描方向的方向上隔开。
4.根据权利要求1所述的装置,其中每一个投影系统包括:
减弱装置,通过所述减弱装置传送相应一条带图案的光束;
其中所述减弱装置的至少一个周边部分减弱一部分相应的带图案的光 束;并且
其中所述减弱装置被设置以使得传送通过该周边部分的相应的带图案 的光束朝向相应一条轨迹的相应一个第二部分进行投射。
5.根据权利要求4所述的装置,其中所述减弱装置被设置在照射系统 和构图系统之间或设置在构图系统和基底之间。
6.一种器件制造方法,包括以下步骤:
a)利用相应的单独可控元件的阵列提供图案化的辐射光束;
b)将带图案的光束投射到基底的目标部分上;
c)致使基底和带图案的光束之间产生相对位移,以使得带图案的光束 沿预定扫描方向在基底上进行扫描;
d)相应每一条带图案的光束朝向基底被引导通过一个透镜阵列,所述 阵列中的每一个透镜引导相应部分的带图案的光束;
e)相应的每一条带图案的光束在基底上沿一系列轨迹中的相应一条轨 迹进行扫描;以及
f)使所述轨迹重叠,使得每一条轨迹包括一个仅被一条带图案的光束 扫描的第一部分和至少一个与所述轨迹中的相邻轨迹重叠的且被两条带图 案的光束扫描的第二部分,
其中,朝向一条轨迹的第一部分引导的每一条带图案的光束的第一部 分的最大强度大于朝向轨迹的第二部分引导的光束的第二部分的最大强 度,使得轨迹的第一部分和第二部分曝光于具有大体上相同的最大强度的 辐射中,且从邻近所述轨迹相应一个第一部分的相应一条轨迹的相应一个 第二部分的一个边缘到所述轨迹的相应一个第二部分的另一边缘逐渐减小 相应一条带图案光束的第二部分的强度。
7.根据权利要求6所述的方法,进一步包括:利用沿垂直于扫描方向 的方向分布在基底上的相应的光学元件列产生所述带图案的光束,使得相 邻的光学元件列沿扫描方向产生偏移。
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