[发明专利]通孔形成方法有效
| 申请号： | 201010144205.9 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102214599A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;孙武;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种通孔形成方法，包括：预先测量利用所述刻蚀腔室刻蚀，在介质层中形成第一目标尺寸通孔所需要的吸附电极电压；根据第二目标尺寸相对于第一目标尺寸的变化量、形成第一目标尺寸通孔所需要的吸附电极电压，以及所述目标尺寸变化量和所述吸附电极电压变化量之间的函数关系，得到形成第二目标尺寸通孔所需的吸附电极电压；在所述第二目标尺寸通孔所需的吸附电极电压下，利用所述刻蚀腔室刻蚀，在介质层中形成第二目标尺寸的通孔。本发明减小了刻蚀后通孔的特征尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种通孔形成方法，包括：提供刻蚀腔室和晶片，在刻蚀腔室中包括用于放置晶片的静电卡盘，所述静电卡盘上具有吸附电极，当向所述吸附电极施加电压，则吸附电极产生将晶片向静电卡盘方向吸附的力，所述晶片包括介质层和位于介质层上的掩膜图形；预先测量利用所述刻蚀腔室刻蚀，在介质层中形成第一目标尺寸通孔所需要的吸附电极电压；其特征在于，还包括步骤：根据第二目标尺寸相对于第一目标尺寸的变化量、形成第一目标尺寸通孔所需要的吸附电极电压，以及所述目标尺寸变化量和所述吸附电极电压变化量之间的函数关系，得到形成第二目标尺寸通孔所需的吸附电极电压；在所述第二目标尺寸通孔所需的吸附电极电压下，利用所述刻蚀腔室刻蚀，在介质层中形成第二目标尺寸的通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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