[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201010143449.5 | 申请日： | 2010-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101866951A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 大田浩史;斋藤涉;小野昇太郎;薮崎宗久;羽田野菜名;渡边美穗 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置。本发明的晶体管包括第一导电型的第一半导体层、和具有沿着与第一半导体层的表面平行的方向交替排列了第一导电型的第二半导体层以及第二导电型的第三半导体层的柱结构的漂移层。相对上述漂移层并行并且交替配置了第一导电型的第四半导体层以及第二导电型的第五半导体层。第五半导体层具有比第四半导体层多的杂质量。相对第四以及第五半导体层并行且交替配置了第一导电型的第六半导体层以及第二导电型的第七半导体层。第七半导体层具有比第六半导体层少的杂质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于包括：晶体管，具有第一导电型的第一半导体层、和形成在上述第一半导体层上的元件区域且沿着与上述第一半导体层的表面平行的方向交替排列了第一导电型的第二半导体层以及第二导电型的第三半导体层的柱结构的漂移层；形成在上述第一半导体层上且与上述元件区域邻接并包围上述元件区域的第一元件周围区域，并相对上述漂移层并行并且交替配置的第一导电型的第四半导体层以及具有比上述第四半导体层多的杂质量的第二导电型的第五半导体层；在上述第四半导体层以及第五半导体层上隔着绝缘膜形成的电极层；以及形成在上述第一半导体层上且与上述第一元件周围区域邻接并包围上述第一元件周围区域的第二元件周围区域，并相对上述第四半导体层以及第五半导体层并行并且交替配置的第一导电型的第六半导体层以及具有比上述第六半导体层少的杂质量的第二导电型的第七半导体层。
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