[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括通道层、欧姆接触层、介电层、源极、漏极、栅极及栅绝缘层。通道层具有上表面以及侧面。欧姆接触层配置于通道层的上表面的部分区域上。介电层配置于通道层的侧面上，且介电层与欧姆接触层不重叠。源极及漏极配置于欧姆接触层及介电层的部分区域上，而介电层的部分区域未被源极及漏极所覆盖。栅极位于通道层上方或下方。栅绝缘层配置于栅极与通道层之间。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，包括：在一基板上形成一栅极；在该基板上形成一栅绝缘层，以覆盖该栅极；在该栅绝缘层上依序形成一通道材料层、一欧姆接触材料层及一图案化光致抗蚀剂层，其中该图案化光致抗蚀剂层位于该栅极上方；以该图案化光致抗蚀剂层为掩模，图案化该通道材料层及该欧姆接触材料层，以形成一通道层及一位于该通道层与该图案化光致抗蚀剂层之间的欧姆接触层；在该图案化光致抗蚀剂层、该通道层的侧面、该欧姆接触层的侧面及该栅绝缘层上形成一介电层；移除该图案化光致抗蚀剂层及与该图案化光致抗蚀剂层接触的部分该介电层，以使该欧姆接触层被暴露；以及在部分该介电层及部分该欧姆接触层上形成一源极及一漏极，并将未被该源极及该漏极覆盖的该欧姆接触层移除。