[发明专利]绝缘栅双极性晶体管有效
| 申请号： | 201010139716.1 | 申请日： | 2010-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101847656A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 米田秀司;泽村宪治 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;陈立航 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种绝缘栅双极性晶体管，提高空穴的累积效果，并且抑制电流密度下降。在绝缘栅极之间，漂移区域被形成为分离成多个区域。并且，在漂移区域之间，在发射极电极与漂移层之间形成层间绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 极性 晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，包括：第一导电型漂移层；绝缘栅极，其在上述漂移层的一主面侧形成为向第一方向延伸的形状且并行地排列在第二方向上，该第二方向与上述第一方向垂直相交；第二导电型基极区域，其形成在被一对上述绝缘栅极所夹的栅极之间的区域内；第一导电型发射极区域，其与上述绝缘栅极相邻地形成在上述基极区域内；发射极电极，其与上述发射极区域相连接；第二导电型集电极层，其形成在上述漂移层的另一主面侧；以及集电极电极，其与上述集电极层相连接，其中，上述基极区域沿着上述第一方向被上述漂移层分离成多个区域，上述漂移层与上述发射极电极被绝缘。
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