[发明专利]IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺有效
| 申请号： | 201010139707.2 | 申请日： | 2010-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101814439A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李磊;孙桂铖 | 申请（专利权）人： | 淄博市临淄银河高技术开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 巩同海 |
| 地址： | 255400 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明具体涉及一种IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺。其特征在于包括如下步骤：1)陶瓷基片清洗活化，并在陶瓷基片的表面采用PVD工艺沉积一层1～2μm的铜膜；2)铜箔清洗活化，并在铜箔表面采用CVD工艺交替沉积0.1μm厚的氧化亚铜和0.1μm厚的铜，沉积的氧化亚铜和铜的厚度为0.5～10μm；3)将铜箔预压成型，使铜箔沿宽度方向成弧形后与陶瓷基片一起放置在键合炉内进行高温键合，键合温度为1060～1076℃4)键合后的覆铜板冷却。使用本发明制作的覆铜板相对现有技术的电路板具有超薄、强度高、空洞率低、导热效率高、热阻低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 模块 低热 陶瓷 铜板 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺，其特征在于包括如下步骤：1)陶瓷基片清洗活化，并在陶瓷基片的表面采用PVD工艺沉积一层1～2μm的铜膜；2)铜箔清洗活化，并在铜箔表面采用CVD工艺交替沉积0.1μm厚的氧化亚铜和0.1μm厚的铜，沉积的氧化亚铜和铜的厚度为0.5～10μm；3)将铜箔预压成型，使铜箔沿宽度方向成弧形后与陶瓷基片一起放置在键合炉内进行高温键合，键合温度为1060～1076℃4)键合后的覆铜板冷却。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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