[发明专利]形成堆叠电容器动态随机存取存储器单元的方法

摘要

本发明涉及形成堆叠电容器动态随机存取存储器单元的方法。本发明包含一种半导体构造，其包含若干排接触插塞和若干排平行底板。插塞间距大约是板间距的两倍。本发明包含一种形成半导体构造的方法。在衬底上形成多个导电层，所述多个层相对于第一、第二和第三排接触插塞大体上垂直。蚀刻开口，其穿过所述多个导电层内的所述导电层的每一者。所述开口横向设置在所述第一与第二排接触插塞之间。蚀刻所述开口之后，在所述多个导电层上沉积介电材料，且在所述介电材料上沉积第二导电材料。本发明包含一种电子系统，其包含处理器和与所述处理器可操作地相关联的存储器。存储器装置具有包含双间距电容器的存储器阵列。

主权项

一种半导体构造，其包括：接触插塞，其具有上表面；第一底板，其与所述上表面电接触并相对于所述上表面垂直向上延伸到第一高度，所述第一底板经六面化且具有宽度大致相等的顶面和底面；第二底板，其与所述第一底板间隔一距离；以及绝缘支撑结构，其在所述上表面与所述第一高度之间的第二高度处跨越所述第一与第二底板之间的距离。