[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201010138527.2 | 申请日： | 2010-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101847644A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 天野良介 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/38;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵飞;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括：半导体元件，其具有成像功能，其一个表面用作光接收表面；封装件，其具有使得所述光接收表面朝外来容纳所述半导体元件的凹陷；透光板，其封闭容纳所述半导体元件的所述封装件的所述凹陷；导体，其设置在所述封装件处，电连接到所述半导体元件，并电连接到外部电路；传热构件，其设置为从所述半导体元件的另一表面突出；以及印刷电路板，所述外部电路设置在其上，所述半导体元件安装在其上而与所述外部电路电连接，并且，所述印刷电路板形成有开口，以用于在其间具有间隙地容纳所述传热构件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体元件，其具有成像功能，其一个表面用作光接收表面；封装件，其具有使得所述光接收表面朝外来容纳所述半导体元件的凹陷；透光板，其封闭容纳所述半导体元件的所述封装件的所述凹陷；导体，其设置在所述封装件处，电连接到所述半导体元件，并电连接到外部电路；传热构件，其设置为从所述半导体元件的另一表面突出；以及印刷电路板，所述外部电路设置在其上，所述半导体元件安装在其上而与所述外部电路电连接，并且，所述印刷电路板形成有开口，以用于在其间具有间隙地容纳所述传热构件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
