[发明专利]双层结构深紫外透明导电膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201010138222.1 | 申请日： | 2010-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101841003A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 闫金良;李厅;张易军;赵银女 | 申请（专利权）人： | 鲁东大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264025 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锡掺杂氧化铟(ITO)/氧化镓(Ga2O3)双层结构深紫外透明导电膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。本发明以紫外光学石英玻璃为基板，用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶制备Ga2O3层，厚度30-60nm；用直流磁控溅射ITO靶材制备ITO层，厚度15-29nm。溅射气体氩气压强0.2-2Pa，射频溅射功率50-100W，基板温度200-320℃，直流溅射电流80-150mA，直流溅射电压200-400V。所制备的薄膜具有电阻率低、可见光范围透射率高以及紫外和深紫外区域透射率高等优良的光电性能。本发明方法获得的薄膜在紫外光电器件等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 结构 深紫 透明 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双层结构深紫外透明导电膜，其特征是该薄膜由锡掺杂氧化铟(ITO)/氧化镓(Ga2O3)两层组成，其中ITO层厚度15-29nm，Ga2O3层厚度30-60nm。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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