[发明专利]曝光能量的控制方法

摘要

本发明公开了一种曝光能量的控制方法，该方法包括：确定第i批次之后的第i+1批次晶片的第j结构层光刻图案的第一曝光能量校正因子ei+1，j和第二曝光能量校正因子fi+1，j，计算第i+1批次晶片的第j结构层光刻图案的预设曝光能量Ei+1，j、第一曝光能量校正因子ei+1，j与第二曝光能量校正因子fi+1，j的和，将结果作为校正后的曝光能量，采用校正后的曝光能量进行曝光。采用本发明公开的方法能够提高CD偏差的控制精度。

主权项

一种曝光能量的控制方法，该方法包括：A、预先确定曝光能量偏差与关键尺寸CD偏差的第一比例系数a；获取第i批次晶片的第j结构层光刻图案的CD偏差ΔCDi，j，其中，i为大于等于1的正整数，j为大于等于1且小于等于结构层总层数的正整数；根据ΔCDi，j和预先确定的第一比例系数a，确定第i批次晶片的第j结构层光刻图案的第一曝光能量偏差ΔEi，j，将ΔEi，j与第一百分比系数a’的乘积作为第i批次之后的第i+1批次晶片的第j结构层光刻图案的第一曝光能量校正因子ei+1,j，其中，第一百分比系数a’为大于0且小于1的常数；B、预先确定曝光能量偏差与光阻PR厚度偏差的第二比例系数b；获取第i批次晶片的第j结构层光刻图案的PR厚度偏差ΔLi，j；根据ΔLi，j和预先确定的第二比例系数b，确定第i批次晶片的第j结构层光刻图案的第二曝光能量偏差ΔFi，j，将ΔFi，j与第二百分比系数b’的乘积作为第i批次之后的第i+1批次晶片的第j结构层光刻图案的第二曝光能量校正因子fi+1，j，其中，第二百分比系数b’为大于0且小于1的常数；C、计算第i+1批次晶片的第j结构层光刻图案的预设曝光能量Ei+1，j、第一曝光能量校正因子ei+1，j与第二曝光能量校正因子fi+1，j的和，将结果作为校正后的曝光能量，采用校正后的曝光能量进行曝光。