[发明专利]曝光能量的控制方法

权利要求书

1.一种曝光能量的控制方法，该方法包括：

A、预先确定曝光能量偏差与关键尺寸CD偏差的第一比例系数a；

获取第i批次晶片的第j结构层光刻图案的CD偏差ΔCD_i，j，其中，i为大于等于1的正整数，j为大于等于1且小于等于结构层总层数的正整数；

根据ΔCD_i，j和预先确定的第一比例系数a，确定第i批次晶片的第j结构层光刻图案的第一曝光能量偏差ΔE_i，j，将ΔE_i，j与第一百分比系数a’的乘积作为第i批次之后的第i+1批次晶片的第j结构层光刻图案的第一曝光能量校正因子e_i+1,j，其中，第一百分比系数a’为大于0且小于1的常数；

B、预先确定曝光能量偏差与光阻PR厚度偏差的第二比例系数b；

获取第i批次晶片的第j结构层光刻图案的PR厚度偏差ΔL_i，j；

根据ΔL_i，j和预先确定的第二比例系数b，确定第i批次晶片的第j结构层光刻图案的第二曝光能量偏差ΔF_i，j，将ΔF_i，j与第二百分比系数b’的乘积作为第i批次之后的第i+1批次晶片的第j结构层光刻图案的第二曝光能量校正因子f_i+1，j，其中，第二百分比系数b’为大于0且小于1的常数；

C、计算第i+1批次晶片的第j结构层光刻图案的预设曝光能量E_i+1，j、第一曝光能量校正因子e_i+1，j与第二曝光能量校正因子f_i+1，j的和，将结果作为校正后的曝光能量，采用校正后的曝光能量进行曝光。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤A中所述确定曝光能量偏差与关键尺寸CD偏差的第一比例系数a的方法包括：

A1、在控片上旋涂PR；

A2、设置曝光能量的数值后，进行曝光和显影，生成光刻图案，然后测量光刻图案中PR的实际CD，获得一组曝光能量和实际CD的数值；

A3、保持其他条件不变，仅改变曝光能量的数值，然后多次重复执行步骤A1和A2，获得多组曝光能量和实际CD的数值；

A4、采用线性最小二乘拟合法进行直线拟合，直线上每一点的纵坐标为曝光能量的数值，横坐标为实际CD的数值，将直线的斜率作为曝光能量偏差与CD偏差的第一比例系数a。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤A中所述确定第i批次晶片的第j结构层光刻图案的第一曝光能量偏差ΔE_i，j的方法包括：

计算ΔCD_i，j和预先确定的第一比例系数a的乘积，将结果作为第i批次晶片的第j结构层光刻图案的第一曝光能量偏差ΔE_i，j。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，第一百分比系数a’的取值范围为10％-70％。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤B中所述确定曝光能量偏差与光阻PR厚度偏差的第二比例系数b的方法包括：

B1、在控片上旋涂PR，并测量PR的实际厚度；

B2、设置曝光能量的数值后，进行曝光和显影，生成光刻图案，获得一组曝光能量和实际PR厚度的数值；

B3、保持其他条件不变，改变在控片上旋涂的PR的厚度，并相应地调整曝光能量的数值，使实际CD与步骤B2的光刻图案中PR的实际CD相同，然后多次重复执行步骤B1和B2，获得多组曝光能量和实际PR厚度的数值；

B4、采用线性最小二乘拟合法进行直线拟合，直线上每一点的纵坐标为曝光能量的数值，横坐标为实际PR厚度的数值，将直线的斜率作为曝光能量偏差与PR厚度偏差的第二比例系数b。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤B中所述确定第i批次晶片的第j结构层光刻图案的第二曝光能量偏差ΔF_i，j的方法包括：

计算ΔL_i，j和预先确定的第二比例系数a的乘积，将结果作为第i批次晶片的第j结构层光刻图案的第二曝光能量偏差ΔF_i，j。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，第二百分比系数b’的取值范围为10％-50％。