[发明专利]一种用于制造太阳电池的硅片磷扩散吸杂工艺有效
| 申请号： | 201010133473.0 | 申请日： | 2010-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101857972A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;李晓强;余学功 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B31/04 | 分类号： | C30B31/04 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于制造太阳电池的硅片磷扩散吸杂工艺，包括以下步骤：将磷源涂布在硅片表面或者由载气携带POCl3进入扩散炉管，在保护气氛围下，将硅片置于800～1050℃下保温10～60分钟，接着将硅片置于500～800℃下保温20～60分钟，冷却后除去磷硅玻璃层。本发明工艺采用变温吸杂的方式，结合高温易将杂质溶解释放、在较低温度易使其有效地被吸杂层捕获的优点，能有效地降低硅基体中金属杂质的含量，提高太阳电池的光转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 太阳电池 硅片 扩散 杂工 | ||
【主权项】：
一种用于制造太阳电池的硅片磷扩散吸杂工艺，包括以下步骤：将磷源涂布在硅片表面，在保护气氛围下，将硅片置于800～1050℃下保温10～60分钟，接着将硅片置于600～800℃下保温20～90分钟，冷却后除去磷硅玻璃层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010133473.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：厢式车滑升门的钢丝绳装置
- 下一篇：抗湿耐油电磁线环氧自粘漆
