[发明专利]一种用于制造太阳电池的硅片磷扩散吸杂工艺有效
| 申请号： | 201010133473.0 | 申请日： | 2010-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101857972A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;李晓强;余学功 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B31/04 | 分类号： | C30B31/04 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 太阳电池 硅片 扩散 杂工 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于制造太阳电池的硅片磷扩散吸杂工艺，包括以下步骤：
将磷源涂布在硅片表面，在保护气氛围下，将硅片置于800～1050℃下保温10～60分钟，接着将硅片置于600～800℃下保温20～90分钟，冷却后除去磷硅玻璃层。
2.根据权利要求1所述的硅片磷扩散吸杂工艺，其特征在于：所述的磷源涂布在硅片表面的方法为旋涂或喷涂。
3.一种用于制造太阳电池的硅片磷扩散吸杂工艺，包括以下步骤：
(1)在保护气通入POCl3鼓泡产生的气体氛围下，将硅片置于800～1050℃下保温10～60分钟；
(2)在保护气氛围或步骤(1)所述的气体氛围下，将硅片置于600～800℃下保温20～90分钟；
(3)冷却，除去磷硅玻璃层。
4.根据权利要求1或3所述的硅片磷扩散吸杂工艺，其特征在于：所述的保护气为氩气、氧气、氮气或空气。
5.根据权利要求1或3所述的硅片磷扩散吸杂工艺，其特征在于：除去磷硅玻璃层所采用试剂为氢氟酸。
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