[发明专利]基板处理装置无效
| 申请号： | 201010132245.1 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101908468A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 饭塚八城;望月祐希 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能不产生异常放电等而高效率地加热各构成构件的基板处理装置。基板处理装置(10)包括能减压的处理室(11)、设于该处理室(11)内的基座(12)、与该基座(12)相对地设于处理室(11)的顶部的簇射头(27)、配置于基座(12)的上表面外周部的聚流环(24)，具有配置在聚流环(24)的附近的红外线辐射式的环状的加热器(26)，加热器(26)由红外线辐射体(26a)和封入红外线辐射体(26a)的石英制环(26b)构成，使在聚流环(24)和加热器(26)之间不存在阻碍红外线辐射的构件。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其包括能减压的处理室、设于该处理室内的基板载置台、与该基板载置台相对地设于上述处理室的顶部的簇射头、配置于上述基板载置台的上表面外周部的聚流环，其特征在于，具有配置在上述聚流环的附近的红外线辐射式的环状的加热器，上述加热器由红外线辐射体和封入有该红外线辐射体的玻璃体构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
