[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置，特别是涉及在处理室内设有加热器，消除阻碍基板处理的主要原因的基板处理装置。

背景技术

作为基板处理装置，例如列举出有半导体制造装置、真空处理装置、成膜处理装置等，作为使用等离子体对基板进行处理的基板处理装置，公知有等离子处理装置。等离子处理装置具有在内部产生等离子体的能减压的处理室(室)，在该室内配置有载置作为基板的晶圆的基板载置台(基座)。基座包括配置于该基座的上表面的圆板状的静电吸盘(ESC)和配置于该静电吸盘上表面的外周缘部的、例如由硅构成的聚流环。

公知在等离子处理装置中，在处理开始前进行排出处理室内气体的排气处理。即，通过预先去除吸附于处理室内的壁面、构成构件的水分、反应生成物等基板处理阻碍成分，使晶圆的蚀刻率的分布形态均匀化，由此提高面内处理的均匀性。通常，加热水分等使其蒸发，排出该蒸发的水分等而将其去除。可是，为了加热水分等，在处理室内配置例如金属电阻式的加热器，金属暴露于处理室内而成为异常放电的原因。

因此，提出一种基板处理装置，该基板处理装置在基座内设有埋入式的导热加热器，控制聚流环和其周边部的温度(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2008-159931号公报

可是，基板处理装置具有组合多个构件的构造，由于各构件相互间的间隙作为真空绝热层而起作用，所以导热性降低，在以往的设有埋入式加热器的基板处理装置中，各构成构件特别是无法高效率地加热聚流环和其周边部。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能不产生异常放电且高效率地加热各构成构件的基板处理装置。

为了实现上述目的，技术方案1所述的基板处理装置包括：能减压的处理室、设于该处理室内的基板载置台、与该基板载置台相对地设于上述处理室的顶部的簇射头、配置于上述基板载置台的上表面外周部的聚流环，其特征在于，具有配置在上述聚流环的附近的红外线辐射式的环状的加热器，上述加热器由红外线辐射体和封入该红外线辐射体的玻璃体构成。

技术方案2所述的基板处理装置是根据技术方案1所述的基板处理装置，其特征在于，使在上述聚流环和上述加热器之间不存在阻碍红外线辐射的构件。

技术方案3所述的基板处理装置是根据技术方案1或2所述的基板处理装置，其特征在于，上述聚流环和上述加热器直接相邻。

技术方案4所述的基板处理装置是根据技术方案1～3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述加热器经由贯穿上述基板载置台的电力供给线与外部电源连接。

技术方案5所述的基板处理装置是根据技术方案1或2所述的基板处理装置，其特征在于，上述加热器以与上述聚流环隔有空间地围绕该聚流环的方式设于该聚流环的外周部。

技术方案6所述的基板处理装置是根据技术方案5所述的基板处理装置，其特征在于，上述加热器经由贯穿上述处理室的侧壁的电力供给线与外部电源连接。

技术方案7所述的基板处理装置是根据技术方案5所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理室具有用于划分上述基板载置台与上述簇射头之间的空间、和上述基板载置台的下方的排气空间这两个空间的排气板，上述加热器经由贯穿上述排气板的电力供给线与外部电源连接。

技术方案8所述的基板处理装置是根据技术方案5或7所述的基板处理装置，其特征在于，上述加热器被设置为沿着上述处理室的内壁面在上下方向上自由移动。

技术方案9所述的基板处理装置是根据技术方案1～8中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，在上述加热器的上述玻璃体表面上的与构件相对的部分涂敷有红外线反射膜。

技术方案10所述的基板处理装置是根据技术方案1～9中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述红外线辐射体由碳丝构成。

技术方案11所述的基板处理装置是根据技术方案1～10中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述红外线辐射体在波长1200nm附近具有发光峰值。

采用技术方案1所述的基板处理装置，具有配置在聚流环附近的红外线辐射式的环状的加热器，该加热器由红外线辐射体和封入该红外线辐射体的玻璃体构成，所以红外线辐射体不暴露在处理室内，始终绝缘，其结果，即使在处理室内设置加热器也能够防止产生异常放电。此外，由于加热器辐射红外线，所以能够高效率地加热以聚流环为首的构成构件。

采用技术方案2所述的基板处理装置，因为使聚流环和加热器之间不存在阻碍红外线辐射的构件，所以即使聚流环和加热器不相邻，也能够由红外线辐射而高效率地加热聚流环。