[发明专利]一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管

摘要

本发明公开了一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管，用于核心电路的ESD防护，由漏极连接核心电路的输入出端，源极和衬底直接接地，栅极通过一电阻接地的GCNMOS管以及与电阻并联，漏极连接GCNMOS管的栅极，源极和衬底接地，栅极连接核心电路的VDD电源线的NMOS管组成。本发明通过在栅上加一个小的NMOS，用VDD作为该NMOS的控制信号，既能使得多叉指GGNMOS均匀开启，提高器件的鲁棒性，同时解决了GCNMOS结构不能用于较高信号频率的输入端的保护问题。使得这种简单有效的ESD防护方案的适应范围得到有效的拓展。

主权项

一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管，用于核心电路的ESD防护，其特征在于，包括：一GCNMOS管(M1)，漏极连接核心电路的输入端，源极和衬底直接接地，栅极通过一电阻(Rg)接地；一NMOS管(M2)，与电阻(Rg)并联，漏极连接GCNMOS管(M1)的栅极，源极和衬底接地，栅极连接核心电路的VDD电源线。