[发明专利]激光二极管装置无效
| 申请号： | 201010129455.5 | 申请日： | 2010-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101826698A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 小幡俊之 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/223;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光二极管装置。该激光二极管装置包括：基板；半导体层叠结构，包括在该基板的一个表面侧上的第一导电覆层、有源层和第二导电覆层，并且具有作为最顶层的接触层，其中突起形成在接触层和第二导电覆层中；以及电极，设置在接触层上。接触层具有在电极侧的表面上的凹凸结构，并且电极在凹凸结构的顶面、侧面和底面的接触点与接触层接触。该激光二极管能实现低电压。 | ||
| 搜索关键词： | 激光二极管 装置 | ||
【主权项】：
一种激光二极管装置，包括：基板；半导体层叠结构，包括在该基板的一个表面侧上的第一导电覆层、有源层和第二导电覆层，并且具有作为最上层的接触层，其中在该接触层和该第二导电覆层中形成突起；以及电极，设置在该接触层上，其中该接触层在该电极侧的表面上具有凹凸结构，并且该电极在该凹凸结构的顶面、侧面和底面的接触点与该接触层接触。
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