[发明专利]激光二极管装置

权利要求书

1.一种激光二极管装置，包括：

基板；

半导体层叠结构，包括在该基板的一个表面侧上的第一导电覆层、有源 层和第二导电覆层，并且具有作为最上层的接触层，其中在该接触层和该第 二导电覆层中形成突起；以及

电极，设置在该接触层上，其中

该接触层在该电极侧的表面上具有凹凸结构，并且

该电极在该凹凸结构的顶面、侧面和底面的接触点与该接触层接触。

2.根据权利要求1所述的激光二极管装置，其中该接触层具有包括有应 变差的多个层的层叠结构，并且该凹凸结构具有跨越该多个层中的两层以上 的高度。

3.根据权利要求2所述的激光二极管装置，其中该接触层具有压电场效 应。

4.根据权利要求1所述的激光二极管装置，其中该凹凸结构具有在与该 突起的长度方向相同的方向上设置的宽度比该突起的宽度窄的条形凹入部 分和条形凸起部分。

5.根据权利要求1所述的激光二极管装置，其中该凹凸结构具有在与该 突起的长度方向交叉的方向上设置的条形凹入部分和条形凸起部分。

6.根据权利要求1所述的激光二极管装置，其中该凹凸结构具有多个岛 状凹入部分和该凹入部分之外的凸起部分。

7.根据权利要求1所述的激光二极管装置，其中该半导体层叠结构由至 少包含III族元素中的镓和至少包含V族元素中的氮的氮化物III-V族化合物 半导体构成，并且

该接触层由BAlInGaN系的包含Ga的二元以上的组分构成。

8.根据权利要求1所述的激光二极管装置，其中该半导体层叠结构由至 少包含II族元素中的锌和至少包含VI族元素中的氧的II-VI族氧化物半导体 构成，并且

该接触层由BeCdZnMgO系的包含Zn的二元以上的组分构成。