[发明专利]激光二极管装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种激光二极管装置，该激光二极管装置尤其适合于脊型激 光二极管。

背景技术

过去，人们已知这样的脊型激光二极管，其中通过在对应于有源层的电 流注入区域的p-侧接触层和p-型覆层中形成条状突起(脊)而进行电流限制 (例如，见日本未审查专利申请公开No.2007-300016)。

发明内容

在这样现有的脊型激光二极管中，为了实现低电压，必须增加突起的宽 度(条宽度)，减少覆层的膜厚度，或者降低覆层的电阻。然而，在增加突 起的宽度时，降低了扭结水平(kink level)。在降低覆层的膜厚度时，引起 光损耗增加。此外，难于降低覆层的电阻，这是因为尤其是在氮化物半导体 的情况下，几乎不能增加p-型载流子的浓度。

考虑到前述缺点，在本发明中，所希望的是提供能实现低电压的激光二 极管装置。

根据本发明的实施例，所提供的激光二极管装置包括：基板；半导体层 叠结构，包括在该基板的一个表面侧上的第一导电覆层、有源层和第二导电 覆层，并且具有作为最上层的接触层，其中在接触层和第二导电覆层中形成 突起；以及电极，设置在接触层上。接触层具有在电极侧的表面上的凹凸结 构，并且电极在凹凸结构的顶面、侧面和底面的接触点与接触层接触。

在该激光二极管装置中，因为凹凸结构形成在接触层的电极侧的表面 上，所以增加了接触层的表面面积。此外，因为电极在凹凸结构的顶面、侧 面和底面的接触点与接触层接触，所以增加了电极和接触层之间的接触面 积。从而，能够实现低电压驱动。

根据本发明实施例的激光二极管装置，因为凹凸结构形成在接触层的电 极侧的表面上，并且电极在凹凸结构的顶面、侧面和底面的接触点与接触层 接触，所以能够实现低电压。

本发明的其他和进一步的目标、特征和优点将通过下面的描述更加明显 易懂。

附图说明

图1是图解根据本发明实施例的激光二极管装置结构的截面图；

图2是图1所示激光二极管装置的总体结构的透视图；

图3是图解图1所示激光二极管装置的修改示例的截面图；

图4是图解图3所示激光二极管装置总体结构示例的透视图；

图5是图解图3所示激光二极管装置另一个总体结构示例的透视图；

图6是图解在不包括凹凸结构的情况下，在第一p-侧接触层和第二p- 侧接触层中，垂直方向上能带结构的示意图；

图7是图解在图5中增加第二p-侧接触层的载流子浓度的情况下，垂直 方向上能带结构的示意图；

图8是图解在凹凸结构具有跨越第一p-侧接触层和第二p-侧接触层的高 度，并且p-侧电极在凹凸结构的侧面接触点与p-侧接触层接触的情况下，垂 直方向上能带结构的示意图；

图9是图解图1所示激光二极管装置制造方法依步骤次序的截面图；

图10是图解图9的后续步骤的截面图；

图11是图解图10的后续步骤的截面图；

图12是图解图11的后续步骤的截面图；以及

图13是图解图1所示激光二极管装置的另一个修改示例的截面图。

具体实施方式

在下文，将参考附图详细描述本发明的实施例。

图1和图2图解了根据本发明实施例的激光二极管装置的结构。该激光 二极管装置是蓝/蓝-紫激光二极管装置，其振荡波长约为500nm以下，例如， 约400nm，例如用作个人电脑和家用游戏机等的BD记录/再现激光器。例 如，激光二极管装置具有这样的结构，其中n-型覆层12、n-侧引导层13、 有源层14、p-侧引导层15、电子势垒层16、p-型覆层17和p-侧接触层18 依次层叠在由GaN构成的基板11的一个表面侧上。在p-侧接触层18和p- 型覆层17中，形成用于电流限制的条形突起19。有源层14对应于突起19 的区域是发光区域。在突起19的两侧，形成埋入层20，形成由以SiO₂和 Si为代表的材料制作的埋入层20，该埋入层20具有层叠结构或单一层结构。 在p-侧接触层18上，形成p-侧电极21。同时，在基板11的后面上，形成 n-侧电极22。p-侧接触层18对应于本发明中″接触层″的具体示例，并且p- 侧电极21对应于本发明中″电极″的具体示例。