[发明专利]可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室瓦片式功率电极无效
| 申请号： | 201010125516.0 | 申请日： | 2010-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101800148A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 葛洪;张晓丹;赵颖 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01J37/04 | 分类号： | H01J37/04;H01J37/32;C23C16/505 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 廖晓荣 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明是一种可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室瓦片式功率电极，包括功率电极板和功率馈入连接端口，其特征在于所述功率电极板的板面为单面或双面的内凹弧形曲面，弧形曲面轴向与功率馈入连接端口平行；所述功率馈入连接端口为偶数个点，对称设置在功率电极板的端面上。本发明的可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室瓦片式功率电极利用与衬底S正对的瓦片状弧形曲面，修正了电极间驻波效应对电场分布均匀性的影响，使电场分布均匀性得到的改善。本发明解决了大面积VHF-PECVD反应室电极间电场分布的均匀性问题，为研发大面积VHF-PECVD薄膜沉积和刻蚀系统奠定了基础，可有力推动硅薄膜电池和薄膜晶体管矩阵技术产业化进程。 | ||
| 搜索关键词： | 可获得 均匀 电场 大面积 vhf pecvd 反应 瓦片 功率 电极 | ||
【主权项】：
一种可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室瓦片式功率电极，包括功率电极板和功率馈入连接端口，其特征在于所述功率电极板的板面为单面或双面的内凹弧形曲面，弧形曲面轴向与功率馈入连接端口平行；所述功率馈入连接端口为偶数个点，对称设置在功率电极板的端面上。
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