[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201010121239.6 | 申请日： | 2007-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101819991A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 平尾孝;古田守;古田宽;松田时宜;平松孝浩 | 申请（专利权）人： | 日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/786;H01L21/363 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其包括氧化物半导体薄膜层(3)，所述氧化物半导体薄膜层(3)主要包括具有至少一个不同于(002)取向的取向的氧化锌。该氧化锌可以具有包括(002)取向和(101)取向的混合取向。可选地，该氧化锌可以具有包括(100)取向和(101)取向的混合取向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括氧化物半导体薄膜层(3)，所述氧化物半导体薄膜层(3)主要包括氧化锌，所述氧化锌具有包括(100)取向和(101)取向的混合取向，其中表示所述氧化锌的(101)取向的X射线衍射强度I(101)与表示所述氧化锌的(100)取向的X射线衍射强度I(100)之比I(101)/I(100)在0.5到5的范围内。
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