[发明专利]一种内嵌PMOS辅助触发可控硅结构

摘要

本发明公开了一种内嵌PMOS辅助触发可控硅器件，包括P型衬底及其上方的置P阱和N阱，P阱和N阱交界处上方横跨有PMOS的栅氧以及位于栅氧上方的多晶硅栅，N阱上依次设有第一浅壕沟隔离，第一N+注入区、第二浅壕沟隔离和第一P+注入区，N阱和P阱的交界通过多晶硅栅的镂空形成第二N+注入区；P阱上依次设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三浅壕沟隔离和第三P+注入区；所述的第一P+注入区和第一N+注入区均接入电学阳极，第三N+注入区和第三P+注入区均接入电学阴极；所述的多晶硅栅通过触发电路接入电学阳极和电学阴极。本发明内嵌PMOS辅助触发可控硅器件触发电压低，能够在相应范围内调整且结构简单。

主权项

一种内嵌PMOS辅助触发可控硅器件，包括P型衬底(31)，P型衬底(31)上设置P阱(32)和N阱(33)，其特征在于：所述的P阱(32)和N阱(33)交界处上方横跨有PMOS的栅氧(40)以及位于栅氧(40)上方的多晶硅栅(39)；所述的N阱(33)上依次设有第一浅壕沟隔离(41)，第一N+注入区(34)、第二浅壕沟隔离(42)和第一P+注入区(35a)，其中第一P+注入区(35a)临近N阱(33)和P阱(32)的交界处，N阱(33)和P阱(32)的交界处设有第二N+注入区(36)；所述的P阱(32)上依次设有第二P+注入区(35b)、第三N+注入区(37)、第三浅壕沟隔离(43)和第三P+注入区(38)，其中第二P+注入区(35b)临近N阱(33)和P阱(32)的交界处；所述的第一P+注入区(35a)和第一N+注入区(34)均接入电学阳极，第三N+注入区(37)和第三P+注入区(38)均接入电学阴极；所述的多晶硅栅(39)通过触发电路接入电学阳极和电学阴极。