[发明专利]发光元件无效
申请号: | 201010120309.6 | 申请日: | 2010-02-20 |
公开(公告)号: | CN102024835A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 大野诚治 | 申请(专利权)人: | 富士施乐株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;B41J2/45 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾红霞;龙涛峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种发光元件。根据本发明的一个方面,该发光元件包括切换晶闸管、发光晶闸管和直立式栅极负载电阻。该切换晶闸管包括第一阳极层、第一栅极层和第一阴极层。该发光晶闸管包括第二阳极层、第二栅极层和第二阴极层。该直立式栅极负载电阻设置在第一栅极层上并位于电源线下面,并且该栅极负载电阻对从第一栅极层和第二栅极层向电源线流动的电流进行限制。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种发光元件,包括:切换晶闸管,其包括第一阳极层、第一栅极层和第一阴极层,并且在将电压施加在所述第一阳极层和所述第一阴极层之间的状态下,所述切换晶闸管根据所述第一栅极层的电位变为接通或者关断;发光晶闸管,其包括第二阳极层、第二栅极层和第二阴极层,并且当所述切换晶闸管变为接通时,所述发光晶闸管根据所述第二栅极层的电位变为接通,所述第二栅极层设置为与所述第一栅极层所共用的层,所述第二阳极层和所述第二阴极层中的一者设置为与所述第一阳极层或者所述第一阴极层所共用的层,所述第二阳极层和所述第二阴极层中的另一者设置为与所述第一阳极层和所述第一阴极层分离的层;以及栅极负载电阻,其设置在所述第一栅极层上并位于电源线下面,并且所述栅极负载电阻对从所述第一栅极层和所述第二栅极层向所述电源线流动的电流进行限制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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