[发明专利]芯片背面复合材料多层金属化方法无效
| 申请号： | 201010119702.3 | 申请日： | 2010-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101826472A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王新潮;冯东明;叶新民;王文源;祝振 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214431 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种芯片背面复合材料多层金属化方法，属集成电路或分立器件制造技术领域。所述方法是在硅衬底层减薄后进行腐蚀或抛光处理，在其背面蒸镀金接触层，并在高温(350℃～450℃)下使金接触层进行间隙扩散，金与硅材料形成金-硅共溶层；再在金接触层背面依次蒸镀阻挡层和金属保护层；所述阻挡层材料为锡铜合金，金属保护层材料为锡或铜或银或金。本发明的有益效果是：本发明利用金-硅共溶层合金效果降低芯片内部残余应力，整体金属化结构采用多层金属分布减少贵重材料消耗，利于大规模生产制造。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 背面 复合材料 多层 金属化 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片背面复合材料多层金属化方法，其特征在于所述方法是在硅衬底层减薄后进行腐蚀或抛光处理，在其背面蒸镀金接触层，并在350℃～450℃下使金接触层进行间隙扩散，金与硅材料形成金-硅共溶层，所述蒸镀金接触层的厚度范围0.1μm～0.8μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴新顺微电子有限公司，未经江阴新顺微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010119702.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
