[发明专利]基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法无效
| 申请号： | 201010116107.4 | 申请日： | 2010-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101794841A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张亚非;王艳芳;魏浩 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/20;H01L31/042 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种太阳能电池技术领域的基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法，在制作好太阳电池PN结后，将碳纳米管分散吸附到太阳电池表面。本发明将碳纳米管分散吸附到太阳电池表面，用以提高太阳电池的光电转换效率，此方法适用各种太阳电池。与未分散吸附碳纳米管的太阳电池相比，分散吸附了碳纳米管的单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池光电转换效率提高0.5～4.5％，非晶硅薄膜太阳电池和CIGS薄膜太阳电池光电转换效率提高0.5～3.5％。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 增效 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法，其特征在于：在制作好太阳电池PN结后，将碳纳米管分散吸附到太阳电池表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
