[发明专利]基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法

权利要求书

1.一种基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法，其特征在于：在制作好太阳电池PN结后，将碳纳米管分散吸附到太阳电池表面。

2.根据权利要求1所述的基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法，其特征是，所述的太阳电池表面是太阳电池正面钝化层的上表面或下表面。

3.根据权利要求1所述的基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法，其特征是，所述分散吸附是指：采用化学修饰法、涂覆法、沉积法或自组装法将碳纳米管分散至太阳电池表面。

4.根据权利要求1所述的基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法，其特征是，所述的碳纳米管在太阳电池表面的分布密度为5-50根/平方微米。

5.根据权利要求1所述的基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法，其特征是，所述的分布密度是通过碳纳米管溶液的浓度进行调控，该碳纳米管溶液的密度为0.1～1毫克/毫升。

6.根据权利要求1所述的基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法，其特征是，所述的太阳电池为单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池、非晶硅薄膜太阳电池或CIGS薄膜太阳电池。

7.根据权利要求6所述的基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法，其特征是，所述的非晶硅太阳电池及CIGS薄膜太阳电池采用溅射方法制备。

8.根据权利要求1所述的基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法，其特征是，所述的碳纳米管为单壁碳纳米管或多壁碳纳米管。