[发明专利]非真空制作铜铟镓硒和/或硫的太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201010111493.8 申请日: 2010-02-11
公开(公告)号: CN101820029A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 陈文仁;杨益郎;林群福 申请(专利权)人: 昆山正富机械工业有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 215332 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫太阳能电池的制作方法,特别是一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫的太阳能电池,包括:(1)依据配方比例,混合含IB、IIIA和VIA族元素的二成份或三成份或四成份粉末,以形成含铜铟镓硒和/或硫原始混合粉末;(2)在原始混合粉末中再添加额外的VIA族元素粉末,并混合形成最后混合粉末;(3)添加溶剂搅拌,形成浆料;(4)非真空涂布浆料在钼金属层上,软烤形成预制层;(5)经快速升温退火、长晶形成光吸收层;(6)沉积硫化镉或硫化锌于光吸收层上;(7)最后再沉积ZnO和AZO以完成铜铟镓硒和/或硫太阳能电池。避免使用危险的硒化氢;设备成本低。
搜索关键词: 真空 制作 铜铟镓硒 太阳能电池
【主权项】:
一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫太阳能电池的方法,包括下列步骤:(1)首先,依据配方比例,混合含IB、IIIA和VIA族元素的二成份或三成份或四成份粉末,以形成含铜铟镓硒和/或硫原始混合粉末,且该IB族元素包括铜,该IIIA族元素包括铟或镓或铟镓混合材料,该VIA族元素包括硒或硫或硒硫混合材料;(2)在原VIA元素比例的基础上,再添加额外的VIA族元素粉末至该原始混合粉末中,并进行混合以形成最后混合粉末;(3)添加溶剂至该最后混合粉末中并进行搅拌,形成含有IB、IIIA及VIA族元素的铜铟镓硒和/或硫浆料;(4)以非真空涂布法将上述铜铟镓硒和/或硫浆料涂布在钼金属层上,软烤后形成铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层;(5)接着经快速退火炉以快速升温速率,将含铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层的基板加热退火长晶以形成铜铟镓硒和/或硫光吸收层;(6)再沉积一定厚度硫化镉或硫化锌于光吸收层上,以使完全覆盖铜铟镓硒和/或硫光吸收层;(7)最后再沉积ZnO和AZO以完成铜铟镓硒和/或硫太阳能电池。
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