[发明专利]一种阿德福韦酯晶型及其制备方法有效
申请号: | 201010108877.4 | 申请日: | 2010-02-10 |
公开(公告)号: | CN101781333A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 范一;蒲通;李友锋;王乃星;李东兴;陈恬;李丰庭 | 申请(专利权)人: | 浙江车头制药有限公司 |
主分类号: | C07F9/6561 | 分类号: | C07F9/6561 |
代理公司: | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人: | 黄美娟;王兵 |
地址: | 317321*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种阿德福韦酯晶型及其制备方法,所述的阿德福韦酯晶型使用Cu-Ka辐射,以2θ角度和品面间距(d值)表示的X-射线粉末衍射在约8.76(10.11)、约13.69(6.47)、约15.44(5.74)、约15.84(5.60)、约17.60(5.04)、约19.74(4.50)、约20.22(4.39)、约21.02(4.22)、约21.73(4.09)有明显特征吸收峰。本发明所述的阿德福韦酯的制备工艺简单,制得了新的具有良好稳定性的阿德福韦酯晶型,同时使得该晶型中所含残留溶剂小于5000ppm,完全符合ICH对药品残留溶剂指导原则的浓度限度。 | ||
搜索关键词: | 一种 阿德福韦酯晶型 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种阿德福韦酯晶型,其特征在于所述的阿德福韦酯晶型使用Cu-Ka辐射,以2θ角度和晶面间距d值表示的X-射线粉末衍射有如下特征峰: 峰号 20(度) 晶面间距d值 1 约8.76 约10.11 2 约13.69 约6.47 3 约15.44 约5.74 4 约15.84 约5.60 5 约17.60 约5.04 6 约19.74 约4.50 7 约20.22 约4.39 8 约21.02 约4.22 9 约21.73 约4.09
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