[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件。具体地，为了实现天线开关的成本降低，提供了一种技术，其可以尽可能多地降低在天线开关中产生的谐波失真，特别是在天线开关包括在硅衬底上方形成的场效应晶体管时。TX串联晶体管、RX串联晶体管和RX旁路晶体管中的每一个包括低压MISFET，而TX旁路晶体管包括高压MISFET。由此，通过减小构成TX旁路晶体管的高压MISFET的串行连接的数目，施加于各串联耦合的高压MISFET的电压幅度的不均匀性得以抑制。这样，可以抑制高阶谐波的产生。

主权项

一种半导体器件，包括具有发射端、天线端和接收端的天线开关，所述天线开关包括：(a)多个第一MISFET，其串联耦合在所述发射端与所述天线端之间；(b)多个第二MISFET，其串联耦合在所述接收端与所述天线端之间；(c)多个第三MISFET，其串联耦合在所述发射端与GND端之间；以及(d)第四MISFET，其耦合在所述接收端与所述GND端之间，其中所述第一MISFET、所述第二MISFET和所述第四MISFET中的每一个包括低压MISFET，而所述第三MISFET包括高压MISFET，所述高压MISFET的源极区与漏极区之间的击穿电压高于所述低压MISFET的源极区与漏极区之间的击穿电压，以及其中串联耦合在所述发射端与所述GND端之间的所述第三MISFET的数目少于串联耦合在所述接收端与所述天线端之间的所述第二MISFET的数目。