[发明专利]光阻去除方法有效
| 申请号： | 201010102305.5 | 申请日： | 2010-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102135733A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/36 | 分类号： | G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光阻去除方法，所述半导体结构包括：由低k和/或超低k材料构成的中间介电层、在所述中间介电层上方形成的ODL底部抗反射层、在所述ODL底部抗反射层上形成的基于硅的抗反射层Si-ARC层，以及在所述Si-ARC层上方形成的光刻胶层，所述方法包括：用等离子体方法去除光刻胶层；用CF4等离子体去除Si-ARC层，其中在去除过程中，CF4的气体流量和偏置功率中的至少一个随时间而降低；以及用等离子体方法去除ODL底部抗反射层。本发明还提供了通过上述方法获得的半导体结构、半导体器件，以及包含这样的半导体器件的电子设备。利用本发明的光阻去除方法，可以在重加工过程中清除不理想的光阻，减少残余，并且减小光阻去除过程对低k/超低k材料构成的介电层的损害。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种光阻去除方法，所述半导体结构包括：由低k和/或超低k材料构成的中间介电层、在所述中间介电层上方形成的由有机绝缘层ODL构成的底部抗反射层、在ODL底部抗反射层上形成的基于硅的抗反射层Si‑ARC层，以及在所述Si‑ARC层上方形成的光刻胶层，所述方法包括：用等离子体方法去除光刻胶层；用CF4等离子体去除Si‑ARC层，其中在去除过程中，CF4的气体流量和偏置功率中的至少一个随时间而降低；以及用等离子体方法去除ODL底部抗反射层。
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