[发明专利]光阻去除方法

权利要求书

1.一种光阻去除方法，所述半导体结构包括：由低k和/或超低k材料构成的中间介电层、在所述中间介电层上方形成的由有机绝缘层ODL构成的底部抗反射层、在ODL底部抗反射层上形成的基于硅的抗反射层Si-ARC层，以及在所述Si-ARC层上方形成的光刻胶层，所述方法包括：

用等离子体方法去除光刻胶层；

用CF₄等离子体去除Si-ARC层，其中在去除过程中，CF₄的气体流量和偏置功率中的至少一个随时间而降低；以及

用等离子体方法去除ODL底部抗反射层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体结构还包括TEOS钝化层，位于所述中间介电层之上，所述ODL底部抗反射层之下。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述低k材料和所述超低k材料选自k值为2.5-2.9的硅酸盐化合物、k值为2.2的甲基硅酸盐化合物、k值为2.8的HOSP^TM以及k值为2.65的SiLK^TM。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除光刻胶层的步骤使用O₂作为等离子体工艺气体。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除ODL底部抗反射层的步骤使用O₂作为等离子体工艺气体。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，CF₄的气体流量和偏置功率中的至少一个随时间而线性降低。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CF₄的气体流量的降低包括：在50s时间内，从50sccm线性降低至零。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CF₄的偏置功率的降低包括：在50s时间内，从300W线性降低至零。

9.一种半导体器件，包含根据权利要求1-8中任一项获得的半导体结构。

10.一种包含如权利要求9所述的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路和掩埋式DRAM、射频器件。

11.一种包含如权利要求9所述的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。