[发明专利]一种磁控溅射掺杂ZnO基薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201010042779.5 | 申请日： | 2010-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101768728A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 马晓翠;吕有明;柳文军;曹培江;朱德亮;贾芳;黄保;李清华;盛国浩;叶家聪;向恢复 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁控溅射掺杂生长ZnO基薄膜的制备方法，包括步骤：将衬底放置在磁控溅射装置的反应室内，反应室抽真空至压力低于1×10-4Pa；分别将ZnO靶材和掺杂源元素靶材放置在反应室转盘上的射频靶位与直流或电磁靶位，以氧气和氩气为溅射气氛，将两种气体输入缓冲室，并在缓冲室充分混合后引入真空反应室，在1～3Pa压强、衬底温度为室温下，进行溅射生长；通过预先设定的程序，选定样品位并调整射频靶位与直流或电磁靶位的溅射时间，以交替生长ZnO薄膜和掺杂元素层；生长结束后，将掺杂后的ZnO基薄膜在真空、空气或氮气气氛中，400-800℃下退火30-60分钟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 掺杂 zno 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射掺杂生长ZnO基薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：1)分别将ZnO靶材和掺杂源元素靶材放置在反应室射频靶位与直流或电磁靶位，靶材放置的位置与衬底之间的距离为65-80mm；2)将衬底放置在样品托内固定后，由磁力传动杆逐一传送至磁控溅射装置反应室，并安放在旋转盘的样品库中，反应室抽真空至压力低于1×10-4Pa，以氧气和氩气为溅射气氛，将两种气体输入缓冲室，并在缓冲室充分混合后引入真空反应室，在1～3Pa压强、衬底温度为室温下，进行溅射生长；3)通过预先设定的程序，选定样品位并调整射频靶位与直流或电磁靶位的溅射时间，以交替生长ZnO薄膜和掺杂元素层；4)生长结束后，将掺杂生长的ZnO基薄膜在真空、空气或氮气气氛中，在400℃-800℃下退火30-60分钟；5)退火完毕后，待样品自然冷却至室温后取出。
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