[发明专利]固体摄像装置的制造方法无效
| 申请号： | 201010004305.1 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101783321A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 酒井千秋 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 宋鹤;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种固体摄像装置的制造方法。本发明能够提供一种不依赖于SOI基板而解决了因智能剥离法的异物而导致的问题的背面照射型的固体摄像装置。包括以下步骤：在硅基板(11)上形成硅外延生长层(12)；在所述硅外延生长层(12)上形成光电转换部(21)、传输栅极(23)、以及周边电路部(未图示)，并在所述硅外延生长层(12)上形成布线层(31)；在所述硅外延生长层(12)侧的所述硅基板(11)中形成分离层(13)；在所述布线层(31)上形成支撑基板(14)；以及从所述分离层(13)剥离所述硅基板(11)并在所述支撑基板(11)侧残留由所述硅基板(11)的一部分构成的硅层(15)。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种固体摄像装置的制造方法，包括：在硅基板上形成硅外延生长层的步骤；在所述硅外延生长层上形成光电转换部、传输栅极以及周边电路部，并在所述硅外延生长层上形成布线层的步骤；在所述硅外延生长层侧的所述硅基板中形成分离层的步骤；在所述布线层上形成支撑基板的步骤；以及从所述分离层剥离所述硅基板并在所述支撑基板侧残留由所述硅基板的一部分构成的硅层的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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