[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法无效
| 申请号： | 201010004279.2 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101783176A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 柳承韩;杨中燮;郑胜在 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了非易失性存储装置及其操作方法。其中，非易失性存储装置包括：编码器，被配置为对输入数据执行加扰操作；数字和值(DSV)发生器，被配置为生成表示在由编码器编码的输入数据中数据‘0’的数量和数据‘1’的数量之差的DSV；存储单元阵列的页的主单元部件，其中主单元部件被配置为存储由编码器编码的输入数据；页的备用单元部件，其中备用单元部件被配置为存储由DSV发生器生成的DSV；以及读取电压设置部件，被配置为通过对根据主单元部件存储的数据生成的DSV和备用单元部件存储的DSV进行比较来确定页的读取电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储装置，包括：编码器，被配置为对输入数据执行加扰操作；数字和值(DSV)发生器，被配置为生成表示在由所述编码器编码的所述输入数据中数据‘0’的数量和数据‘1’的数量之差的数字和值；存储单元阵列的页的主单元部件，其中所述主单元部件被配置为存储由所述编码器编码的所述输入数据；所述页的备用单元部件，其中所述备用单元部件被配置为存储由所述数字和值发生器生成的所述数字和值；以及读取电压设置部件，被配置为通过对根据所述主单元部件存储的数据所生成的数字和值和所述备用单元部件存储的数字和值进行比较来确定所述页的读取电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010004279.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
