[发明专利]提高非易失性存储器操作性能的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201010002144.2 申请日: 2010-01-07
公开(公告)号: CN101794198A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: W·华生;M·S·迪格斯 申请(专利权)人: 硅系统公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G11C29/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵蓉民
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本文公开了识别和重获非易失性存储器(NVM)设备内典型页编程和块擦除操作中潜在未使用的处理时间的系统和方法。在一个实施例中,控制器内的表征模块通过在阵列中的一个或一个以上NVM设备上执行页编程和块擦除操作以及将操作的执行时间数据存储在校准表中来执行表征过程。该过程可以在启动时执行以及/或周期性地执行,以便时间值反映各个NVM设备的实际物理状态。任务管理器使用存储的时间值估计完成其任务表中的特定存储器操作所需的时间。基于估计的完成时间,任务管理器分配在页编程和/或块擦除周期期间要执行的任务,以便可以利用其他情况下未使用的处理时间。
搜索关键词: 提高 非易失性存储器 操作 性能 系统 方法
【主权项】:
一种存储子系统,包括:非易失性存储器阵列;和控制器,其包括:表征模块,其被配置成在校准表中记录在所述非易失性存储器阵列中的多个存储器设备上执行的存储器操作的执行时间;和任务管理器,其使用来自所述校准表的时间选择在所述控制器正在执行当前存储器操作时要执行的一个或一个以上的任务,所选任务的总执行时间小于与所述当前存储器操作关联的所记录的执行时间。
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