[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

随着近年来半导体工艺的不断缩小，形成于互连层之间的绝缘层不断变薄。为了避免它们之间的寄生电容，低介电常数的材料被用于多层互连中的绝缘层。然而，与传统绝缘层相比，低k材料的强度低。多孔的低k材料在结构上是脆弱的。本发明因此提供一种具有包含低k层的多层互连层的半导体器件的制造方法。根据所述方法，在用锥形刀片在半导体晶片中形成槽之后用比槽宽度更薄的直刀片分割槽的两步切削系统划片中，用锥面覆盖多层互连层部分并进行切削，然后，用与多层互连层部分不接触的薄刀片分割晶片。晶片可以被划片而不损害较脆弱的低k层。

主权项

一种半导体器件制造方法，包含以下步骤：(a)制备具有主表面、形成于主表面之上的多个器件区域、形成于器件区域之间的划片区域、和在与主表面相反一侧上的背表面的半导体晶片；(b)在半导体晶片的划片区域中，将第一划片刀片从主表面侧插入半导体晶片中直到半导体晶片的背表面侧，并使第一划片刀片沿划片区域移动，从而在半导体晶片的主表面中形成划片槽；(c)在步骤(b)之后，将第二划片刀片从半导体晶片的主表面侧插入划片槽并使第二划片刀片沿划片区域移动，由此将半导体晶片分割成多个半导体芯片；(d)将通过执行步骤(c)而得到的半导体芯片放置于芯片安装衬底的芯片安装部分之上；(e)在步骤(d)之后，将半导体芯片分别电耦接到芯片安装衬底；以及(f)用树脂密封半导体芯片，其中，半导体晶片具有基材层、形成于基材层之上的半导体元件层、形成于半导体元件层之上的第一互连层、和形成于第一互连层之上的第二互连层，放置在第一互连层中的第一绝缘层的介电常数低于形成于半导体元件层中的金属前绝缘层的和放置于第二互连层中的第二绝缘层的每个的介电常数，在步骤(b)中使用的第一划片刀片的具有圆形的平面形状，第一划片刀片在其圆周部分处的截面形状具有第一侧面、具有相对于第一侧面的第一侧面倾角的第二侧面、和具有大于第一侧面倾角的相对于第一侧面的第二侧面倾角的第三侧面，第二侧面和第三侧面的第二边界点之间的宽度小于第一侧面与第二侧面的第一边界点之间的宽度，并且在步骤(b)中，第一划片刀片被插入半导体晶片中使得第一划片刀片的第二边界点到达基材层。