[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201010001074.9 | 申请日: | 2010-01-21 |
公开(公告)号: | CN101794804A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 青柳秀和 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋;梁韬 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了发光元件,包括:第一导电型半导体层;发光功能层,在第一导电型半导体层上形成;第二导电型半导体层,在发光功能层上形成;第一导电型电极,其与第一导电型半导体层的露出部导通;第二导电型电极,其与第二导电型半导体层导通;绝缘层,其位于在其一部分上的发光功能层、第二导电型半导体层和第二导电型电极及在其另一部分上的第一导电型电极之间;以及附加绝缘层,被附加至绝缘层以形成在与由第二导电型半导体层、发光功能层以及第一导电型半导体层所构成的二极管相反的方向上具有整流作用的虚拟二极管。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种发光元件,包括:第一导电型半导体层;发光功能层,以露出部分所述第一导电型半导体层的方式形成在所述第一导电型半导体层上;第二导电型半导体层,形成在所述发光功能层上;第一导电型电极,其与所述第一导电型半导体层的露出部分导通;第二导电型电极,其与所述第二导电型半导体层导通;绝缘层,位于在其一部分上的所述发光功能层、所述第二导电型半导体层和所述第二导电型电极与在其另一部分上的所述第一导电型电极之间,以保持它们之间的绝缘;以及附加绝缘层,被附加至所述绝缘层,以形成在由所述第二导电型半导体层、所述发光功能层以及所述第一导电型半导体层所构成的二极管的相反方向上具有整流作用的虚拟二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的