[发明专利]具有掺杂功能的蚀刻膏剂以及利用该膏剂形成太阳能电池选择性发射极的方法有效
申请号: | 200980159710.6 | 申请日: | 2009-12-02 |
公开(公告)号: | CN102803439A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 金东俊;冈本珍范;李秉喆;郑锡铉 | 申请(专利权)人: | 第一毛织株式会社 |
主分类号: | C09K13/00 | 分类号: | C09K13/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李丙林;张英 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了具有掺杂功能的蚀刻膏剂。所述蚀刻膏剂蚀刻硅晶片上的薄膜并包含:a)n-型或p-型可掺杂的掺杂剂;b)粘结剂;和c)溶剂。本发明的具有掺杂功能的蚀刻膏剂而掺杂于硅晶片之上同时蚀刻通过焙烧在所述硅晶片的一个表面上形成的薄膜,而且由于该蚀刻膏剂不含氟化合物或磷化合物,因此在掺杂过程或蚀刻过程之后甚至不需要额外的冲洗过程。 | ||
搜索关键词: | 具有 掺杂 功能 蚀刻 膏剂 以及 利用 形成 太阳能电池 选择性 发射极 方法 | ||
【主权项】:
一种用于蚀刻硅晶片上的薄膜的具有掺杂功能的蚀刻膏剂,所述蚀刻膏剂包含:a)n‑型或p‑型掺杂剂;b)粘结剂;和c)溶剂。
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