[发明专利]旨在减少施主衬底拉伸应力状态的异质结构体的制造方法有效
| 申请号： | 200980156845.7 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102318055A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 马克·凯纳德 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造特别打算应用于电子、光电、光学或光电子领域的异质结构体的方法，所述方法包括以下步骤：将原子物质注入至第一所谓的“施主”衬底(1)内部，以在其中形成脆弱区(11)；在施主衬底(1)上组装第二所谓的“受主”衬底(3)；沿脆弱区(11)分离出所述施主衬底(1)的后部以在该受主衬底上赋予需要的薄层(12)，其中，所述受主衬底(3)的热膨胀系数大于施主衬底(1)的热膨胀系数，而且为便于分离，在所述组装后且所述分离前施加所谓的“分离”退火，其特征在于以下事实：所述分离退火包括以下同步施加：对施主衬底(1)施加第一温度；对受主衬底(3)施加不同于第一温度的第二温度；对所述第一温度和第二温度进行选择，以减少施主衬底(1)的拉伸应力状态。 | ||
| 搜索关键词： | 旨在 减少 施主 衬底 拉伸 应力 状态 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造特别打算应用于电子、光电、光学或光电子领域的异质结构体的方法，所述方法包括以下步骤：‑将原子物质注入至第一所谓的“施主”衬底(1)内部，以在其中形成脆弱区(11)，‑在所述施主衬底(1)上组装第二所谓的“受主”衬底(3)，‑沿所述脆弱区(11)分离出所述施主衬底(1)的后部，以在所述受主衬底上赋予需要的薄层(12)，其中，所述受主衬底(3)的热膨胀系数大于所述施主衬底(1)的热膨胀系数，而且为便于分离，在所述组装后且所述分离前施加所谓的“分离”退火，其特征在于以下事实：所述分离退火包括以下同步施加：‑对所述施主衬底(1)施加第一温度；‑对所述受主衬底(3)施加不同于所述第一温度的第二温度；对所述第一温度和第二温度进行选择，以减少所述施主衬底(1)的拉伸应力状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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