[发明专利]晶片切割方法及其系统无效
| 申请号： | 200980156301.0 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102308372A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王中柯;陈涛;郑宏宇 | 申请（专利权）人： | 新加坡科技研究局 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;B23K26/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 提供了一种通过在晶片内生成裂缝来切割半导体晶片的方法及系统。该方法包括朝着所述晶片的表面照射激光束；以及会聚所述激光束以形成焦点，从而形成聚焦体积，所述聚焦体积由所述焦点和所述晶片内的所述激光束的边界限定。所述聚焦体积内包含的能量使位于所述聚焦体积的周缘处的晶片比位于所述聚焦体积内的晶片收缩得更快，从而在所述晶片内生成裂缝。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 切割 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
一种通过在晶片内生成裂缝来切割半导体晶片的方法，所述方法包括：‑朝着所述晶片的表面照射激光束；以及‑会聚所述激光束以形成焦点，从而形成聚焦体积，所述聚焦体积由所述焦点和所述晶片内的所述激光束的边界限定；其中，所述聚焦体积内包含的能量使位于所述聚焦体积的周缘处的晶片比位于所述聚焦体积内的晶片收缩得更快，从而在所述晶片内生成裂缝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
