[发明专利]具有均匀硅化的鳍片末端部分的多栅极晶体管无效

申请号：	200980155389.4	申请日：	2009-11-25
公开（公告）号：	CN102292799A	公开（公告）日：	2011-12-21
发明（设计）人：	S·贝耶尔;P·普雷斯;R·吉迪格凯特;J·亨齐尔	申请（专利权）人：	格罗方德半导体公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/78
代理公司：	北京戈程知识产权代理有限公司 11314	代理人：	程伟;王锦阳
地址：	英国开***	国省代码：	英国;GB
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	在多栅极晶体管中，晶体管的漏极或源极的多个鳍片是通过共同的接触组件(243)彼此电性连接，其中，对应接触区域(235)的增强均匀性可通过增强的硅化工艺序列完成。为此目的，鳍片可被嵌入介电材料(230)中，其中，可形成适当的接触开二(230A)以暴露鳍片(210)的末端表面(210F)，暴露的末端表面(210F)接着可作为硅化表面面积。
搜索关键词：	具有均匀末端部分栅极晶体管
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【主权项】：

一种方法，包含：形成介电材料(230)于多栅极晶体管(200)的多个鳍片(210)的末端部分(210E)之上；形成开口(230A)于该介电材料(230)中，以便延伸穿过该末端部分(210E)；形成接触区域(235)于该开口(230A)中所暴露的各个该末端部分(210E)的剖面面积(210F)中；以及形成接触组件(243)于该开口中，该接触组件(243)连接各个该接触区域(235)。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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