[发明专利]通过空间协调和时间同步工艺的薄膜沉积无效
申请号: | 200980150915.8 | 申请日: | 2009-12-14 |
公开(公告)号: | CN102257601A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | S·奥维辛斯基 | 申请(专利权)人: | 奥维新斯基创新有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L31/042 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 田强 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 用于薄膜材料的形成的沉积系统和工艺。在一个实施方案中,工艺包括从第一材料流形成初始等离子并且允许等离子在空间和/或时间中演化以湮灭对薄膜材料的品质不利的原子团。在初始等离子演化至最优状态之后,第二材料流被注入沉积室中,以形成含有更有助于高品质薄膜材料的形成的原子团的分布的复合等离子。沉积系统包括具有用于将两个或更多个流(源材料或运载气体)注入等离子区中的多个输送点的沉积室。输送点在空间中交错,以允许从第一材料流沉积源材料形成的上游等离子在将下游材料流与等离子结合之前演化。不同的材料流的注入还在时间上同步。材料流的空间协调和时间同步的净效果是得到其中原子团的分布被优化以用于以高沉积速率沉积薄膜光电材料的等离子。输送设备包括喷嘴和远程等离子源。 | ||
搜索关键词: | 通过 空间 协调 时间 同步 工艺 薄膜 沉积 | ||
【主权项】:
一种形成薄膜材料的方法,包括:提供沉积室;所述沉积室包括衬底、第一阴极、第一阳极、第一输送设备和第二输送设备;所述沉积室具有从所述第一阴极向所述第一阳极延伸的第一方向;所述第一输送设备包括第一输送点;所述第二输送设备包括被安置在所述第一输送点和所述衬底之间的第二输送点;所述第二输送点从所述第一输送点在所述第一方向被空间位移;向所述第一输送设备提供第一材料流,所述第一输送设备将所述第一材料流注入到所述沉积室中;建立在所述第一阴极和所述第一阳极之间的电场,所述电场引发等离子,所述等离子包括来源于所述第一材料流的原子团;并且向所述第二输送设备提供第二材料流,所述第二输送设备将所述第二材料流注入到所述等离子中以形成复合等离子,所述复合等离子包括来源于所述第一材料流和所述第二材料流的原子团。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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