[发明专利]氧化铟系烧结体及溅射靶有效
| 申请号： | 200980150518.0 | 申请日： | 2009-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102245533A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;宇都野太;川岛浩和;矢野公规;笘井重和;笠见雅司;寺井恒太 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氧化物烧结体，其在氧化铟结晶中固溶有选自铝及钪中的一种以上的金属的氧化物，且铟和选自铝及钪中的一种以上的金属的原子比((一种以上的金属的合计)/(一种以上的金属和In的合计)×100)为0.001％以上且不足45％。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 烧结 溅射 | ||
【主权项】：
一种烧结体，在氧化铟结晶中固溶有选自铝及钪中的一种以上的金属的氧化物，且铟与选自铝及钪中的一种以上的金属的原子比，即(一种以上的金属的合计)/(一种以上的金属和In的合计)×100为0.001％以上且不足45％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于出光兴产株式会社，未经出光兴产株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980150518.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
