[发明专利]薄膜的形成方法有效
| 申请号： | 200980149376.6 | 申请日： | 2009-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102245800A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 本田和义;篠川泰治;八木弘雅;涩谷聪;冈崎祯之;小川裕子;末次大辅 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/50 | 分类号： | C23C14/50;C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明确保通过气体冷却带来的充分的冷却能力并且防止真空槽内的真空度的恶化。在真空中设置基板(21)，与基板(21)的非成膜面接近地配置冷却体(1)，一边将冷却用气体导入到基板(21)和冷却体(1)之间，一边在基板(21)的成膜面上沉积成膜材料来形成薄膜。此时，导入与所述成膜材料反应的气体作为冷却用气体。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜形成方法，是通过在真空中在具有表面和背面的基板上沉积成膜材料来形成薄膜的薄膜形成方法，包括：第一配置工序，该工序在第一薄膜形成区域以接近所述背面的方式配置第一冷却面；第一薄膜形成工序，该工序在所述基板的所述表面上在所述第一薄膜形成区域内形成薄膜；和第一冷却工序，该工序在第一薄膜形成工序的实施中，通过将含有与所述成膜材料反应的气体的冷却用气体导入到所述第一冷却面和所述背面之间来冷却所述基板。
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